STM9926 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
STM9926 Datasheet (PDF)
stm9926.pdf
S T M9926S amHop Microelectronics C orp. J an. 10 2008 ver1.0Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.28 @ V G S = 4.0V20V 6.5A S urface Mount Package.38 @ V G S = 2.5VE S D P rotected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2
stm9930a.pdf
GreenProductS TM9930AS amHop Microelectronics C orp.Dec.20, 20052N and 2P Channel Enhancement Mode Field E ffect Transistor(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max35 @ VG S = 10V 53 @ VG S = -10V-30V -5.3A30V 6A54 @ VG S = 4.5V 75 @ VG S = -4.5VP1S P2SP2GP1G P2GN2D/P2DP1S/
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918