SRH04P500L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRH04P500L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
Tiempo de subida (tr): 5.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRH04P500L
SRH04P500L Datasheet (PDF)
srh04p500l.pdf
Datasheet 50m, 40V, P-Channel Power MOSFET SRH04P500L General Description Symbol The Sanrise SRH04P500L uses advanced trench Drain 5,6,7,8technology. It has low on resistance, low gate charge and fast switching time. This device is ideal for motor driver and BMS applications. Gate 4The SRH04P500L break down voltage is 40V and it has a high rugged avalanche characteristics
srh04n260l.pdf
Datasheet 26m, 40V, N-Channel Power MOSFET SRH04N260L General Description Symbol The Sanrise SRH04N260L uses advanced trench Drain 5,6,7,8technology. It has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time. This Gate 4device is ideal for high frequency switching and synchronous rectification. The SRH04N260L break down voltage is 40V Source 1,2,3and it
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