STM8820 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM8820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.587 Ohm
Encapsulados: SOP8
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STM8820 datasheet
stm8820.pdf
r P Pr P P STM8820 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 587 @ VGS=10V Suface Mount Package. 80V 1.4A 756 @ VGS=4.5V ESD Protected. 5 4 D2 G 2 6 D2 3 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 8 1 D1 S 1 1 (TA=25
gstm882.pdf
GSTM882 NPN Epitaxial Planar Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Free amplifier and switch. Packages & Pin Assignments SOT-89 Pin Description 1 Base 2 Collector 3 Emitter Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM882F SOT-89 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882 Ordering Information Part Number Package Qua
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