STM8820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM8820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.587 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de STM8820 MOSFET
STM8820 Datasheet (PDF)
stm8820.pdf
rPPrPPSTM8820aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.587 @ VGS=10VSuface Mount Package.80V 1.4A756 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25
gstm882.pdf
GSTM882 NPN Epitaxial Planar Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Freeamplifier and switch. Packages & Pin Assignments SOT-89 Pin Description1 Base 2 Collector 3 Emitter Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM882F SOT-89 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882 Ordering Information Part Number Package Qua
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Liste
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