STM8820 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM8820
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.66 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.587 Ohm
Тип корпуса: SOP8
STM8820 Datasheet (PDF)
stm8820.pdf
rPPrPPSTM8820aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.587 @ VGS=10VSuface Mount Package.80V 1.4A756 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25
gstm882.pdf
GSTM882 NPN Epitaxial Planar Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Freeamplifier and switch. Packages & Pin Assignments SOT-89 Pin Description1 Base 2 Collector 3 Emitter Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM882F SOT-89 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882 Ordering Information Part Number Package Qua
Другие MOSFET... FDME410NZT , FDME510PZT , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , CS150N03A8 , FDMS2502SDC , FDMS2504SDC , FDMS2506SDC , FDMS2508SDC , FDMS2510SDC , FDMS2572 , FDMS2672 , STM8601 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918