STM8820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STM8820
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.587 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STM8820 Datasheet (PDF)
stm8820.pdf

rPPrPPSTM8820aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.587 @ VGS=10VSuface Mount Package.80V 1.4A756 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11(TA=25
gstm882.pdf

GSTM882 NPN Epitaxial Planar Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Freeamplifier and switch. Packages & Pin Assignments SOT-89 Pin Description1 Base 2 Collector 3 Emitter Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTM882F SOT-89 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882 Ordering Information Part Number Package Qua
Другие MOSFET... FDME410NZT , FDME510PZT , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , 18N50 , FDMS2502SDC , FDMS2504SDC , FDMS2506SDC , FDMS2508SDC , FDMS2510SDC , FDMS2572 , FDMS2672 , STM8601 .
History: BUK9510-100B | IPI90R1K0C3 | HGI120N06SL | TTP118N08A | TK3A60DA | 4N65KL-T2Q-R
History: BUK9510-100B | IPI90R1K0C3 | HGI120N06SL | TTP118N08A | TK3A60DA | 4N65KL-T2Q-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852