FDMS2508SDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDMS2508SDC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: POWER56
Búsqueda de reemplazo de FDMS2508SDC MOSFET
FDMS2508SDC Datasheet (PDF)
fdms2508sdc.pdf

July 2010FDMS2508SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.95 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.95 m at VGS = 10 V, ID = 28 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.85 m
fdms2502sdc.pdf

July 2010FDMS2502SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.2 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.2 m at VGS = 10 V, ID = 35 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.7 m at
fdms2506sdc.pdf

July 2010FDMS2506SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.45 m at VGS = 10 V, ID = 30 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.1 m
fdms2504sdc.pdf

July 2010FDMS2504SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.25 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.25 m at VGS = 10 V, ID = 32 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.75 m
Otros transistores... FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC , FDMS2504SDC , FDMS2506SDC , IRLZ44N , FDMS2510SDC , FDMS2572 , FDMS2672 , STM8601 , FDMS2734 , FDMS3500 , FDMS3572 , FDMS3600S .
History: IRFI624G | SM2670NSC | PHP3N60E
History: IRFI624G | SM2670NSC | PHP3N60E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent