SRT12N058HD56 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRT12N058HD56

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de SRT12N058HD56 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SRT12N058HD56 datasheet

 4.1. Size:1670K  sanrise-tech
 srt12n058h.pdf pdf_icon

SRT12N058HD56

Datasheet 5.8m , 120V, N-Channel Power MOSFET SRT12N058H General Description Symbol The Sanrise SRT12N058H is a low voltage power Drain 5,6,7,8 MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4 extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior

Otros transistores... SRT10N160LM, SRT10N160LD, SRT10N230HD, SRT10N230HM, SRT10N230HD56, SRT10N230LD56, SRT10N230LM, SRT10N230LD, IRF730, SRT12N058HTC, SRT12N058HS2, SRT15N050HTC, SRT15N050HS2, SRT15N050HT, SRT15N050HTL, SRT15N059HTC, SRT15N059HS2