SRT12N058HTC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRT12N058HTC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO220

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SRT12N058HTC datasheet

 4.1. Size:1670K  sanrise-tech
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SRT12N058HTC

Datasheet 5.8m , 120V, N-Channel Power MOSFET SRT12N058H General Description Symbol The Sanrise SRT12N058H is a low voltage power Drain 5,6,7,8 MOSFET, fabricated using advanced split gate trench technology. The resulting device has Gate 4 extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior

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