WMN38N60C2 Todos los transistores

 

WMN38N60C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMN38N60C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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WMN38N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  1
 wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf pdf_icon

WMN38N60C2

WML38N MK38N60CN60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60CN60C2, WM C2 600V 0.089 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce

Otros transistores... SRT20N090HTC , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , SVT077R5NT , SVT077R5ND , SVT077R5NS , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , IRFP260 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C , HCS80R380S , HY3007P , HY3007M , HY3007B , HY3007PS .

History: NTTFS4H05N | STB80NF10T4 | SSF65R120S2 | IRFR6215 | WMK15N65C2 | SI6459BDQ | D7509

 

 
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