Справочник MOSFET. WMN38N60C2

 

WMN38N60C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMN38N60C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для WMN38N60C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN38N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  1
 wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf pdf_icon

WMN38N60C2

WML38N MK38N60CN60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60CN60C2, WM C2 600V 0.089 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce

Другие MOSFET... SRT20N090HTC , SRT20N090HS2 , 2SK3995 , SVT077R5NT , SVT077R5ND , SVT077R5NS , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , IRFP260 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C , HCS80R380S , HY3007P , HY3007M , HY3007B , HY3007PS .

History: ME80N75F | SSL60R099SFD | STL13NM60N | WML10N65EM

 

 
Back to Top

 


 
.