Справочник MOSFET. WMN38N60C2

 

WMN38N60C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMN38N60C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для WMN38N60C2

 

 

WMN38N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  1
 wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf

WMN38N60C2 WMN38N60C2

WML38N MK38N60CN60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60CN60C2, WM C2 600V 0.089 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top