Справочник MOSFET. WMN38N60C2

 

WMN38N60C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMN38N60C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMN38N60C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  1
 wml38n60c2 wmk38n60c2 wmn38n60c2 wmm38n60c2 wmj38n60c2.pdf pdf_icon

WMN38N60C2

WML38N MK38N60CN60C2, WM C2 WMN38N60C2, WMM38N MJ38N60CN60C2, WM C2 600V 0.089 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C2 is ate ce

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.