CMU5941 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMU5941

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TO251

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CMU5941 datasheet

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CMU5941

CMD5941/CMU5941 P-Channel Silicon MOSFET General Description Product Summary The 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25A excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications. Inverters Motor drive DC / DC converter Features P-Channel TO-252/251 Pin Configuration D Low ON-

Otros transistores... HY3007M, HY3007B, HY3007PS, HY3007PM, NCE80H11, S80N10R, S80N10S, CMD5941, AON7410, MMBF4860, N6006NZ, STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, HCCZ120R040H1, VS2622AA