CMU5941 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMU5941
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 65 nC
Tiempo de subida (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.135 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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CMU5941 Datasheet (PDF)
cmd5941 cmu5941.pdf
CMD5941/CMU5941P-Channel Silicon MOSFETGeneral Description Product SummaryThe 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25Aexcellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications.Inverters Motor driveDC / DC converterFeatures P-ChannelTO-252/251 Pin ConfigurationDLow ON-
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