CMU5941 Todos los transistores

 

CMU5941 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMU5941
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CMU5941 Datasheet (PDF)

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 cmd5941 cmu5941.pdf pdf_icon

CMU5941

CMD5941/CMU5941P-Channel Silicon MOSFETGeneral Description Product SummaryThe 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25Aexcellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications.Inverters Motor driveDC / DC converterFeatures P-ChannelTO-252/251 Pin ConfigurationDLow ON-

Otros transistores... HY3007M , HY3007B , HY3007PS , HY3007PM , NCE80H11 , S80N10R , S80N10S , CMD5941 , RFP50N06 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , TK10P50W , LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA .

History: IPI100N10S3-05 | TK17A25D | MTB4D0N03ATH8 | WMK161N15T2 | MEE7296-G | UD9926 | HY3306B

 

 
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