HCCZ120R040H1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCCZ120R040H1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 259 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TO247-4L

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HCCZ120R040H1 datasheet

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HCCZ120R040H1

HCCZ120R040H1 1200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 1200 V Features R DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technology I D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances TO-247-4L Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg tested Part ID Package

 5.1. Size:1127K  cn vgsemi
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HCCZ120R040H1

HCCZ120R080H1 1200V/80m N-Channel SIC Power MOSFET Features V 1200 V DS High speed switching with low on-resistance R 80 m DS(on),TYP@25 Very low switching losses I 36 A D Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247-4L Robust body diode 1 2 3 4 Part ID Package Type Marking Packing HCCZ120R080H1 TO-247-4L 120R080H1 30pcs/P

Otros transistores... CMD5941, CMU5941, MMBF4860, N6006NZ, STP180N4F6, TK10P50W, LCS50P03, HCCW120R040H1, CS150N03A8, VS2622AA, VS2622AD, VS2622AL, VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM