HCCZ120R040H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HCCZ120R040H1
   Código: 120R040H1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 259 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 105 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCCZ120R040H1

HCCZ120R040H1 Datasheet (PDF)

..1. Size:3498K cn vgsemi
hccz120r040h1.pdf

HCCZ120R040H11200V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 1200 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=20 V 42 m SiC MOSFET technologyI D(Silicon limited) 55 A High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitancesTO-247-4L Very low switching losses Low reverse recovery (Qrr) 100% Avalanche tested,100% Rg testedPart ID Package

5.1. Size:1127K cn vgsemi
hccz120r080h1.pdf

HCCZ120R080H11200V/80m N-Channel SIC Power MOSFETFeaturesV 1200 VDS High speed switching with low on-resistanceR 80 mDS(on),TYP@25 Very low switching lossesI 36 AD Controllable dv/dt Avalanche Ruggedness and 100% Avalanche test TO-247-4L Robust body diode1234Part ID Package Type Marking PackingHCCZ120R080H1 TO-247-4L 120R080H1 30pcs/P

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: