VS3604AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3604AT
   Código: 3604AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 785 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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VS3604AT Datasheet (PDF)

..1. Size:1051K cn vgsemi
vs3604at.pdf pdf_icon

VS3604AT30V/180A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.1 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.8 m Enhancement modeI D 180 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604AT TO-220AB 3

8.1. Size:1048K cn vgsemi
vs3604dt.pdf pdf_icon

VS3604DT30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DT TO-

8.2. Size:1033K cn vgsemi
vs3604dm.pdf pdf_icon

VS3604DM30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-263 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DM TO-26

9.1. Size:875K cn vgsemi
vs3602gpmt.pdf pdf_icon

VS3602GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg testedPart ID Package Type Marki