VS3604AT Todos los transistores

 

VS3604AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3604AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 785 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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VS3604AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  cn vgsemi
vs3604at.pdf pdf_icon

VS3604AT

VS3604AT30V/180A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.1 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.8 m Enhancement modeI D 180 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604AT TO-220AB 3

 8.1. Size:1048K  cn vgsemi
vs3604dt.pdf pdf_icon

VS3604AT

VS3604DT30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DT TO-

 8.2. Size:1033K  cn vgsemi
vs3604dm.pdf pdf_icon

VS3604AT

VS3604DM30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.7 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 300 A Ultra-Low Gate ImpedanceTO-263 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3604DM TO-26

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vs3602gpmt.pdf pdf_icon

VS3604AT

VS3602GPMT30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg testedPart ID Package Type Marki

Otros transistores... HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 , VS2622AA , VS2622AD , VS2622AL , VS3510DS , VS3602GPMT , VS3603GPMT , 18N50 , VS3604DM , VS3604DT , VS3605ABT , VS3606AD , VS3606AE , VS3606AP , VS3606AT , VS3606ATD .

History: 2SK2653-01R | IPD50P04P4-13 | SWP062R68E7T | SUP75P05-08 | FQB13N50CTM | CPH6429 | AUIRF7736M2TR

 

 
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