VS3606AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS3606AE
Código: 3606AE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 69 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3333
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3606AE
VS3606AE Datasheet (PDF)
vs3606ae.pdf
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VS3606AE30V/92A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.4 m Very Low on-resistanceI D 92 A Fast Switching 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3606AE PDFN3333 3606AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol
vs3606ad.pdf
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VS3606AD30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement modeI D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3
vs3606ap.pdf
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VS3606AP30V/106A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.0 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.9 m Enhancement modeI D 106 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type Mark
vs3606atd.pdf
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VS3606ATD30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement modeI D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche TestedTO-263 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3606ATD TO-263 3606ATD
vs3606at.pdf
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VS3606AT30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement modeI D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3606AT TO-220AB 3606AT
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B