VS3606AE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3606AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VS3606AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3606AE даташит

 ..1. Size:1017K  cn vgsemi
 vs3606ae.pdf pdf_icon

VS3606AE

VS3606AE 30V/92A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.4 m Very Low on-resistance I D 92 A Fast Switching 100% Avalanche test PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3606AE PDFN3333 3606AE 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol

 7.1. Size:1026K  cn vgsemi
 vs3606ad.pdf pdf_icon

VS3606AE

VS3606AD 30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement mode I D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3

 7.2. Size:1076K  cn vgsemi
 vs3606ap.pdf pdf_icon

VS3606AE

VS3606AP 30V/106A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.0 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.9 m Enhancement mode I D 106 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Mark

 7.3. Size:1035K  cn vgsemi
 vs3606atd.pdf pdf_icon

VS3606AE

VS3606ATD 30V/140A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4 m Enhancement mode I D 140 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche Tested TO-263 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3606ATD TO-263 3606ATD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM, VS3604DT, VS3605ABT, VS3606AD, 10N65, VS3606AP, VS3606AT, VS3606ATD, VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP, VS3610GPMT, VS3612GP