VS3612GP Todos los transistores

 

VS3612GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3612GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3612GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  cn vgsemi
vs3612gp.pdf pdf_icon

VS3612GP

VS3612GP30V/45A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 72 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 45 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche TestedPart ID Package Type Marking PackingVS3612GP PDF

 9.1. Size:609K  cn vanguard
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VS3612GP

VS3618AE 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 50 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Packag

 9.2. Size:1009K  cn vanguard
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VS3612GP

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 9.3. Size:2538K  cn vanguard
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VS3612GP

VS3618BE30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.2 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.8 m Fast Switching and High efficiencyI D(Silicon Limited) 50 A 100% Avalanche TestedI D(Package Limited) 30 APDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3618BE PDFN3333 3618BE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SML802R4BN | GP1M003A080XX | DMN4010LFG | SML802R4KN | SFF340 | VBA3410 | 4N60L-TM3-T

 

 
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