VS3612GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3612GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS3612GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3612GP даташит

 ..1. Size:990K  cn vgsemi
vs3612gp.pdfpdf_icon

VS3612GP

VS3612GP 30V/45A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.3 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 72 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 45 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested Part ID Package Type Marking Packing VS3612GP PDF

 9.1. Size:609K  cn vanguard
vs3618ae.pdfpdf_icon

VS3612GP

VS3618AE 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 50 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Packag

 9.2. Size:1009K  cn vanguard
vs3610ae.pdfpdf_icon

VS3612GP

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 9.3. Size:2538K  cn vanguard
vs3618be.pdfpdf_icon

VS3612GP

VS3618BE 30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.2 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.8 m Fast Switching and High efficiency I D(Silicon Limited) 50 A 100% Avalanche Tested I D(Package Limited) 30 A PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3618BE PDFN3333 3618BE 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25

Другие IGBT... VS3606AE, VS3606AP, VS3606AT, VS3606ATD, VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP, VS3610GPMT, IRF2807, VS3614AD, VS3614AE, VS3614GE, VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, VS3618AH