VS3614AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3614AE
   Código: 3614AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3614AE

VS3614AE Datasheet (PDF)

..1. Size:1043K cn vgsemi
vs3614ae.pdf

VS3614AE30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 58 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614AE PDFN3333 3614AE

7.1. Size:1012K cn vgsemi
vs3614ad.pdf

VS3614AD30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 75 A Fast Switching and High efficiencyTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614ADTO-252 3614AD 2500pcs/

8.1. Size:897K cn vgsemi
vs3614gp.pdf

VS3614GP30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 31 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packin

8.2. Size:784K cn vgsemi
vs3614ge.pdf

VS3614GE30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.8 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 31 A VitoMOS Technolog 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3614GE PDFN3333 3614GE 5000PCS/ReelMa

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Liste

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