Справочник MOSFET. VS3614AE

 

VS3614AE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS3614AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333

 Аналог (замена) для VS3614AE

 

 

VS3614AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1043K  cn vgsemi
 vs3614ae.pdf

VS3614AE VS3614AE

VS3614AE30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 58 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614AE PDFN3333 3614AE

 7.1. Size:1012K  cn vgsemi
 vs3614ad.pdf

VS3614AE VS3614AE

VS3614AD30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 75 A Fast Switching and High efficiencyTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614ADTO-252 3614AD 2500pcs/

 8.1. Size:897K  cn vgsemi
 vs3614gp.pdf

VS3614AE VS3614AE

VS3614GP30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 31 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packin

 8.2. Size:784K  cn vgsemi
 vs3614ge.pdf

VS3614AE VS3614AE

VS3614GE30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.8 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 31 A VitoMOS Technolog 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3614GE PDFN3333 3614GE 5000PCS/ReelMa

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top