Справочник MOSFET. VS3614AE

 

VS3614AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3614AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS3614AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3614AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1043K  cn vgsemi
vs3614ae.pdfpdf_icon

VS3614AE

VS3614AE30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 58 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614AE PDFN3333 3614AE

 7.1. Size:1012K  cn vgsemi
vs3614ad.pdfpdf_icon

VS3614AE

VS3614AD30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 75 A Fast Switching and High efficiencyTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614ADTO-252 3614AD 2500pcs/

 8.1. Size:897K  cn vgsemi
vs3614gp.pdfpdf_icon

VS3614AE

VS3614GP30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 31 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packin

 8.2. Size:784K  cn vgsemi
vs3614ge.pdfpdf_icon

VS3614AE

VS3614GE30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.8 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 31 A VitoMOS Technolog 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3614GE PDFN3333 3614GE 5000PCS/ReelMa

Другие MOSFET... VS3606AT , VS3606ATD , VS3610AD , VS3610AI , VS3610AP , VS3610GPMT , VS3612GP , VS3614AD , AON6380 , VS3614GE , VS3614GP , VS3615GA , VS3615GE , VS3618AD , VS3618AH , VS3618AP , VS3618AS .

History: PMN55ENEA | SE2333 | CMPDM7120G | AM3940N | RS1E150GN | 2SK765 | RSQ045N03

 

 
Back to Top

 


 
.