VS3620GA Todos los transistores

 

VS3620GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3620GA
   Código: 3620
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75-6L

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3620GA

 

VS3620GA Datasheet (PDF)

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VS3620GA30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.8 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 55 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche testDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3620GA DFN2x2x0.75-6L 3620 3000

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vs3620gpmc.pdf

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VS3620GPMC30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche testPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

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vs3620gpmc.pdf

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VS3620GPMC30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche testPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

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VS3620GEMC30V/40A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.9 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 40 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS3620GEMC

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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