VS3620GA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3620GA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L

Аналог (замена) для VS3620GA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3620GA даташит

 ..1. Size:973K  cn vgsemi
 vs3620ga.pdf pdf_icon

VS3620GA

VS3620GA 30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.8 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 55 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche test DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3620GA DFN2x2x0.75-6L 3620 3000

 7.1. Size:2373K  cn vanguard
 vs3620gpmc.pdf pdf_icon

VS3620GA

VS3620GPMC 30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche test PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

 7.2. Size:1094K  cn vgsemi
 vs3620gpmc.pdf pdf_icon

VS3620GA

VS3620GPMC 30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche test PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

 7.3. Size:1093K  cn vgsemi
 vs3620gemc.pdf pdf_icon

VS3620GA

VS3620GEMC 30V/40A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.9 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 40 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 100% Avalanche test Part ID Package Type Marking Packing VS3620GEMC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, VS3618AH, VS3618AP, VS3618AS, VS3620DP2-G, IRFZ48N, VS3620GEMC, VS3622AA, VS3622AA2, VS3622AA4, VS3622AD, VS3622AP, VS3622AS, VS3622DB