VS3647DB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3647DB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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VS3647DB datasheet

 ..1. Size:1082K  cn vgsemi
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VS3647DB

VS3647DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 4.9 m Dual Asymmetric N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 7.7 m VitoMOS Technology I D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested DFN3x3 Part ID Package Type Marking Packing VS3647DB DFN3x3 3647DB 5000pcs/Reel Maximum ratings, at

 9.1. Size:493K  cn vanguard
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VS3647DB

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 9.2. Size:959K  cn vgsemi
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VS3647DB

VS3640AA 30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Fast Switching and High efficiency I D 10 A Pb-free lead plating; RoHS compliant DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3640AA DFN2x2x0.75-6L 3640 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise s

 9.3. Size:1121K  cn vgsemi
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VS3647DB

VS3646ACM 30V/5A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 20 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 32 m I D(Silicon limited) 5 A SOT23 Part ID Package Type Marking Packing VS3646ACM SOT23 VS37 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 30 V

Otros transistores... VS3640AE, VS3640AS, VS3640AT, VS3640BC, VS3645GA, VS3645GE, VS3646ACL, VS3646ACM, IRFP260N, VS3652DB, VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA