VS3647DB Todos los transistores

 

VS3647DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3647DB
   Código: 3647DB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3647DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  cn vgsemi
vs3647db.pdf pdf_icon

VS3647DB

VS3647DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 4.9 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 7.7 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3647DB DFN3x3 3647DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at

 9.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdf pdf_icon

VS3647DB

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 9.2. Size:959K  cn vgsemi
vs3640aa.pdf pdf_icon

VS3647DB

VS3640AA30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Fast Switching and High efficiencyI D 10 A Pb-free lead plating; RoHS compliantDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3640AA DFN2x2x0.75-6L 3640 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise s

 9.3. Size:1121K  cn vgsemi
vs3646acm.pdf pdf_icon

VS3647DB

VS3646ACM30V/5A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 20 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 32 mI D(Silicon limited) 5 ASOT23Part ID Package Type Marking PackingVS3646ACM SOT23 VS37 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specifiedSymbol Parameter Rating UnitV(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 30 V

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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