VS3647DB - описание и поиск аналогов

 

Аналоги VS3647DB. Основные параметры


   Наименование производителя: VS3647DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для VS3647DB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3647DB даташит

 ..1. Size:1082K  cn vgsemi
vs3647db.pdfpdf_icon

VS3647DB

VS3647DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.2 4.9 m Dual Asymmetric N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 7.7 m VitoMOS Technology I D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested DFN3x3 Part ID Package Type Marking Packing VS3647DB DFN3x3 3647DB 5000pcs/Reel Maximum ratings, at

 9.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdfpdf_icon

VS3647DB

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 9.2. Size:959K  cn vgsemi
vs3640aa.pdfpdf_icon

VS3647DB

VS3640AA 30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Fast Switching and High efficiency I D 10 A Pb-free lead plating; RoHS compliant DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3640AA DFN2x2x0.75-6L 3640 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise s

 9.3. Size:1121K  cn vgsemi
vs3646acm.pdfpdf_icon

VS3647DB

VS3646ACM 30V/5A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 20 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 32 m I D(Silicon limited) 5 A SOT23 Part ID Package Type Marking Packing VS3646ACM SOT23 VS37 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 30 V

Другие MOSFET... VS3640AE , VS3640AS , VS3640AT , VS3640BC , VS3645GA , VS3645GE , VS3646ACL , VS3646ACM , IRFP260N , VS3652DB , VS3662DB , VS3698AD , VS3698AE , VS3698AP , VS3698AT , VS3803GPMT , VS3817GA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.