VS3817GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3817GA
   Código: 3817
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 505 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3817GA

VS3817GA Datasheet (PDF)

..1. Size:907K cn vgsemi
vs3817ga.pdf

VS3817GA30V/20A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.2 m Very low on-resistanceI D 20 A VitoMOS TechnologyDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3817GA DFN2x2x0.75-6L 3817 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Param

7.1. Size:1055K cn vgsemi
vs3817gpmt.pdf

VS3817GPMT30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.3 m Very low on-resistanceI D 75 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3817GPMT PDFN5x6 3817GPM 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: