VS3817GA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3817GA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L

Аналог (замена) для VS3817GA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3817GA даташит

 ..1. Size:907K  cn vgsemi
 vs3817ga.pdf pdf_icon

VS3817GA

VS3817GA 30V/20A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.2 m Very low on-resistance I D 20 A VitoMOS Technology DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3817GA DFN2x2x0.75-6L 3817 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Param

 7.1. Size:1055K  cn vgsemi
 vs3817gpmt.pdf pdf_icon

VS3817GA

VS3817GPMT 30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.3 m Very low on-resistance I D 75 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3817GPMT PDFN5x6 3817GPM 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless

Другие IGBT... VS3647DB, VS3652DB, VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, P55NF06, VS3817GPMT, VS3820GA2, VS3825GPMC, VS40200AD, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH, VS4401AMH