Справочник MOSFET. VS3817GA

 

VS3817GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3817GA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L
 

 Аналог (замена) для VS3817GA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3817GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  cn vgsemi
vs3817ga.pdfpdf_icon

VS3817GA

VS3817GA30V/20A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.2 m Very low on-resistanceI D 20 A VitoMOS TechnologyDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3817GA DFN2x2x0.75-6L 3817 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Param

 7.1. Size:1055K  cn vgsemi
vs3817gpmt.pdfpdf_icon

VS3817GA

VS3817GPMT30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.3 m Very low on-resistanceI D 75 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3817GPMT PDFN5x6 3817GPM 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless

Другие MOSFET... VS3647DB , VS3652DB , VS3662DB , VS3698AD , VS3698AE , VS3698AP , VS3698AT , VS3803GPMT , IRFB4115 , VS3817GPMT , VS3820GA2 , VS3825GPMC , VS40200AD , VS40200AP , VS40200ATD , VS4401AKH , VS4401AMH .

History: CSD87353Q5D | HGN028NE6A | IRFBC40SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.