Справочник MOSFET. VS3817GA

 

VS3817GA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS3817GA
   Маркировка: 3817
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 505 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L

 Аналог (замена) для VS3817GA

 

 

VS3817GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  cn vgsemi
 vs3817ga.pdf

VS3817GA VS3817GA

VS3817GA30V/20A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.2 m Very low on-resistanceI D 20 A VitoMOS TechnologyDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3817GA DFN2x2x0.75-6L 3817 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Param

 7.1. Size:1055K  cn vgsemi
 vs3817gpmt.pdf

VS3817GA VS3817GA

VS3817GPMT30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.3 m Very low on-resistanceI D 75 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3817GPMT PDFN5x6 3817GPM 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top