VS3817GPMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS3817GPMT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3817GPMT
VS3817GPMT Datasheet (PDF)
vs3817gpmt.pdf
VS3817GPMT30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.3 m Very low on-resistanceI D 75 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3817GPMT PDFN5x6 3817GPM 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless
vs3817ga.pdf
VS3817GA30V/20A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.2 m Very low on-resistanceI D 20 A VitoMOS TechnologyDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3817GA DFN2x2x0.75-6L 3817 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Param
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Liste
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