VS3817GPMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3817GPMT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VS3817GPMT datasheet

 ..1. Size:1055K  cn vgsemi
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VS3817GPMT

VS3817GPMT 30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.3 m Very low on-resistance I D 75 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3817GPMT PDFN5x6 3817GPM 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless

 7.1. Size:907K  cn vgsemi
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VS3817GPMT

VS3817GA 30V/20A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.2 m Very low on-resistance I D 20 A VitoMOS Technology DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3817GA DFN2x2x0.75-6L 3817 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Param

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