VS3825GPMC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS3825GPMC
Código: 3825GP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 9.8 nC
Tiempo de subida (tr): 56 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
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VS3825GPMC Datasheet (PDF)
vs3825gpmc.pdf
VS3825GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3825GPMC PDFN5x6 3825GP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise
vs3820ga2.pdf
VS3820GA230V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiencyDFN2x2x0.45-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3820GA2 DFN2x2x0.45-6L 3820GA 3000PCS/ReelMaximum ra
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