VS3825GPMC Todos los transistores

 

VS3825GPMC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3825GPMC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VS3825GPMC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  cn vgsemi
 vs3825gpmc.pdf pdf_icon

VS3825GPMC

VS3825GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3825GPMC PDFN5x6 3825GP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise

 9.1. Size:1004K  cn vgsemi
 vs3820ga2.pdf pdf_icon

VS3825GPMC

VS3820GA230V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiencyDFN2x2x0.45-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3820GA2 DFN2x2x0.45-6L 3820GA 3000PCS/ReelMaximum ra

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History: CEBF630 | WMN25N70EM

 

 
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