Справочник MOSFET. VS3825GPMC

 

VS3825GPMC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS3825GPMC
   Маркировка: 3825GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для VS3825GPMC

 

 

VS3825GPMC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  cn vgsemi
 vs3825gpmc.pdf

VS3825GPMC VS3825GPMC

VS3825GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3825GPMC PDFN5x6 3825GP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise

 9.1. Size:1004K  cn vgsemi
 vs3820ga2.pdf

VS3825GPMC VS3825GPMC

VS3820GA230V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiencyDFN2x2x0.45-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3820GA2 DFN2x2x0.45-6L 3820GA 3000PCS/ReelMaximum ra

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top