VS3825GPMC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VS3825GPMC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VS3825GPMC Datasheet (PDF)
vs3825gpmc.pdf

VS3825GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3825GPMC PDFN5x6 3825GP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise
vs3820ga2.pdf

VS3820GA230V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiencyDFN2x2x0.45-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3820GA2 DFN2x2x0.45-6L 3820GA 3000PCS/ReelMaximum ra
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CS1N80A4H
History: CS1N80A4H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet