VS3825GPMC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VS3825GPMC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для VS3825GPMC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VS3825GPMC даташит
vs3825gpmc.pdf
VS3825GPMC 30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS Technology I D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3825GPMC PDFN5x6 3825GP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise
vs3820ga2.pdf
VS3820GA2 30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.2 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiency DFN2x2x0.45-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3820GA2 DFN2x2x0.45-6L 3820GA 3000PCS/Reel Maximum ra
Другие IGBT... VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA, VS3817GPMT, VS3820GA2, IRFP250N, VS40200AD, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH, VS4401AMH, VS4401ATH, VS4603DM6, VS4603GPHT
History: CSD13202Q2 | STP10NM50N | NCE6003M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet


