VS4401AMH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS4401AMH
   Código: 4401AMH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 237 nC
   Tiempo de subida (tr): 200 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1700 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4401AMH

VS4401AMH Datasheet (PDF)

..1. Size:914K cn vgsemi
vs4401amh.pdf

VS4401AMH40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 130 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiencyTO-263 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS4401AMH TO-263 4401AMH 800pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSy

7.1. Size:891K cn vgsemi
vs4401ath.pdf

VS4401ATH40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 400 A Very low on-resistanceI D(Package Limited) 130 A Fast Switching and High efficiencyTO-220AB 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS4401ATH TO-220AB 4401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, u

7.2. Size:1072K cn vgsemi
vs4401akh.pdf

VS4401AKH40V/260A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.85 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 260 A Ultra low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking PackingVS4401AKH TOLL 4401AKH 2000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

9.1. Size:123K onsemi
nts4409n nvs4409n.pdf

NTS4409N, NVS4409NSmall Signal MOSFET25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SC-70/SOT-323Featureshttp://onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: