VS4401AMH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4401AMH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VS4401AMH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4401AMH даташит

 ..1. Size:914K  cn vgsemi
vs4401amh.pdfpdf_icon

VS4401AMH

VS4401AMH 40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement mode I D(Wire bond Limited) 130 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiency TO-263 100% Avalanche test Part ID Package Type Marking Packing VS4401AMH TO-263 4401AMH 800pcs/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Sy

 7.1. Size:891K  cn vgsemi
vs4401ath.pdfpdf_icon

VS4401AMH

VS4401ATH 40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 400 A Very low on-resistance I D(Package Limited) 130 A Fast Switching and High efficiency TO-220AB 100% Avalanche test Part ID Package Type Marking Packing VS4401ATH TO-220AB 4401ATH 50pcs/Tube Maximum ratings, at TA =25 C, u

 7.2. Size:1072K  cn vgsemi
vs4401akh.pdfpdf_icon

VS4401AMH

VS4401AKH 40V/260A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.85 m Enhancement mode I D(Wire bond Limited) 260 A Ultra low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS Technology TOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packing VS4401AKH TOLL 4401AKH 2000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

 9.1. Size:123K  onsemi
nts4409n nvs4409n.pdfpdf_icon

VS4401AMH

NTS4409N, NVS4409N Small Signal MOSFET 25 V, 0.75 A, Single, N-Channel, ESD Protection, SC-70/SOT-323 Features http //onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N 249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 25

Другие IGBT... VS3817GA, VS3817GPMT, VS3820GA2, VS3825GPMC, VS40200AD, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH, STP75NF75, VS4401ATH, VS4603DM6, VS4603GPHT, VS4603GPMT, VS4604AD, VS4604AT, VS4604ATD, VS4604DM