VS4401ATH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS4401ATH
   Código: 4401ATH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 400 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 237 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4401ATH

VS4401ATH Datasheet (PDF)

..1. Size:891K cn vgsemi
vs4401ath.pdf

VS4401ATH40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 400 A Very low on-resistanceI D(Package Limited) 130 A Fast Switching and High efficiencyTO-220AB 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS4401ATH TO-220AB 4401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, u

7.1. Size:914K cn vgsemi
vs4401amh.pdf

VS4401AMH40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 130 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiencyTO-263 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS4401AMH TO-263 4401AMH 800pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSy

7.2. Size:1072K cn vgsemi
vs4401akh.pdf

VS4401AKH40V/260A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.85 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 260 A Ultra low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking PackingVS4401AKH TOLL 4401AKH 2000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

9.1. Size:123K onsemi
nts4409n nvs4409n.pdf

NTS4409N, NVS4409NSmall Signal MOSFET25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SC-70/SOT-323Featureshttp://onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25

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History: FQB4N50TM

Liste

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