VS4401ATH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS4401ATH
Маркировка: 4401ATH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 237 nC
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
VS4401ATH Datasheet (PDF)
vs4401ath.pdf
VS4401ATH40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 400 A Very low on-resistanceI D(Package Limited) 130 A Fast Switching and High efficiencyTO-220AB 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS4401ATH TO-220AB 4401ATH 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, u
vs4401amh.pdf
VS4401AMH40V/130A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.4 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 130 A Very low on-resistance Fast Switching and High efficiencyTO-263 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVS4401AMH TO-263 4401AMH 800pcs/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSy
vs4401akh.pdf
VS4401AKH40V/260A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.85 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 260 A Ultra low RDS(on) to minimize conduction losses VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking PackingVS4401AKH TOLL 4401AKH 2000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,
nts4409n nvs4409n.pdf
NTS4409N, NVS4409NSmall Signal MOSFET25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SC-70/SOT-323Featureshttp://onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918