VS4610AE Todos los transistores

 

VS4610AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS4610AE
   Código: 4610AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4610AE

 

VS4610AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  cn vgsemi
vs4610ae.pdf

VS4610AE
VS4610AE

VS4610AE40V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 55 A Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS4610AE PDFN3333 4610AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, u

 7.1. Size:988K  cn vgsemi
vs4610ap.pdf

VS4610AE
VS4610AE

VS4610AP40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement modeI D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche testPDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AP PDFN5x6 4610AP 3

 7.2. Size:1020K  cn vgsemi
vs4610az.pdf

VS4610AE
VS4610AE

VS4610AZ40V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencySOT223 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AZ SOT223 46

 7.3. Size:1065K  cn vgsemi
vs4610ab.pdf

VS4610AE
VS4610AE

VS4610AB40V/53A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.2 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Enhancement modeI D 53 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Fast SwitchingTDFN3.3x3.3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AB TDFN3.3x3.3 4610AB 5

 7.4. Size:945K  cn vgsemi
vs4610ad.pdf

VS4610AE
VS4610AE

VS4610AD40V/65A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement modeI D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


VS4610AE
  VS4610AE
  VS4610AE
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top