Справочник MOSFET. VS4610AE

 

VS4610AE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS4610AE
   Маркировка: 4610AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333

 Аналог (замена) для VS4610AE

 

 

VS4610AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  cn vgsemi
vs4610ae.pdf

VS4610AE VS4610AE

VS4610AE40V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 55 A Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS4610AE PDFN3333 4610AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, u

 7.1. Size:988K  cn vgsemi
vs4610ap.pdf

VS4610AE VS4610AE

VS4610AP40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement modeI D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche testPDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AP PDFN5x6 4610AP 3

 7.2. Size:1020K  cn vgsemi
vs4610az.pdf

VS4610AE VS4610AE

VS4610AZ40V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencySOT223 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AZ SOT223 46

 7.3. Size:1065K  cn vgsemi
vs4610ab.pdf

VS4610AE VS4610AE

VS4610AB40V/53A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.2 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Enhancement modeI D 53 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Fast SwitchingTDFN3.3x3.3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AB TDFN3.3x3.3 4610AB 5

 7.4. Size:945K  cn vgsemi
vs4610ad.pdf

VS4610AE VS4610AE

VS4610AD40V/65A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement modeI D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top