VS4698DP Todos los transistores

 

VS4698DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS4698DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de VS4698DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS4698DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn vgsemi
 vs4698dp.pdf pdf_icon

VS4698DP

VS4698DP40V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 6.6 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.9 m Enhancement modeI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 DualPart ID Package Type Marking PackingVS4698DP PDFN5x6 Dual 4698DP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

 8.1. Size:1060K  cn vgsemi
 vs4698ap.pdf pdf_icon

VS4698DP

VS4698AP40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.1 m Very low on-resistanceI D(Wire bond Limited) 33 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS4698AP PDFN5x6 4698AP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise speci

Otros transistores... VS4620GEMC , VS4620GI , VS4620GP , VS4620GS , VS4622DE , VS4640AC , VS4646ACM , VS4698AP , STP80NF70 , VS4802GKM , VS4802GMM , VS4802GPHT , VS4802GPMT , VS6614DS , VS6614DS-K , VSA030C03LD , VSA030C03MD .

History: PSMN5R8-40YS | GC11N65K

 

 
Back to Top

 


 
.