VS4698DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS4698DP
   Código: 4698DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4698DP

VS4698DP Datasheet (PDF)

..1. Size:886K cn vgsemi
vs4698dp.pdf

VS4698DP40V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 6.6 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.9 m Enhancement modeI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 DualPart ID Package Type Marking PackingVS4698DP PDFN5x6 Dual 4698DP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

8.1. Size:1060K cn vgsemi
vs4698ap.pdf

VS4698AP40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.1 m Very low on-resistanceI D(Wire bond Limited) 33 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS4698AP PDFN5x6 4698AP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise speci

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Liste

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