VS4698DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4698DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для VS4698DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4698DP даташит

 ..1. Size:886K  cn vgsemi
 vs4698dp.pdf pdf_icon

VS4698DP

VS4698DP 40V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 6.6 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.9 m Enhancement mode I D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Dual Part ID Package Type Marking Packing VS4698DP PDFN5x6 Dual 4698DP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

 8.1. Size:1060K  cn vgsemi
 vs4698ap.pdf pdf_icon

VS4698DP

VS4698AP 40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.1 m Very low on-resistance I D(Wire bond Limited) 33 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS4698AP PDFN5x6 4698AP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise speci

Другие IGBT... VS4620GEMC, VS4620GI, VS4620GP, VS4620GS, VS4622DE, VS4640AC, VS4646ACM, VS4698AP, 10N65, VS4802GKM, VS4802GMM, VS4802GPHT, VS4802GPMT, VS6614DS, VS6614DS-K, VSA030C03LD, VSA030C03MD