Справочник MOSFET. VS4698DP

 

VS4698DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS4698DP
   Маркировка: 4698DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для VS4698DP

 

 

VS4698DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  cn vgsemi
 vs4698dp.pdf

VS4698DP VS4698DP

VS4698DP40V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 6.6 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.9 m Enhancement modeI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 DualPart ID Package Type Marking PackingVS4698DP PDFN5x6 Dual 4698DP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

 8.1. Size:1060K  cn vgsemi
 vs4698ap.pdf

VS4698DP VS4698DP

VS4698AP40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.1 m Very low on-resistanceI D(Wire bond Limited) 33 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS4698AP PDFN5x6 4698AP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise speci

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top