VS4802GMM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS4802GMM
   Código: 4802GMM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 135 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 124 nC
   Tiempo de subida (tr): 93 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2045 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4802GMM

VS4802GMM Datasheet (PDF)

..1. Size:996K cn vgsemi
vs4802gmm.pdf

VS4802GMM40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS TechnologyTO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

7.1. Size:1140K cn vgsemi
vs4802gpmt.pdf

VS4802GPMT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking

7.2. Size:1314K cn vgsemi
vs4802gkm.pdf

VS4802GKM40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses

7.3. Size:975K cn vgsemi
vs4802gpht.pdf

VS4802GPHT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistanceI D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Pa

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