Справочник MOSFET. VS4802GMM

 

VS4802GMM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS4802GMM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 93 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2045 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VS4802GMM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4802GMM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:996K  cn vgsemi
vs4802gmm.pdfpdf_icon

VS4802GMM

VS4802GMM40V/135A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.2 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.6 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 135 A VitoMOS TechnologyTO-263 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

 7.1. Size:1140K  cn vgsemi
vs4802gpmt.pdfpdf_icon

VS4802GMM

VS4802GPMT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.1 m Ultra low on-resistanceI D(Silicon Limited) 215 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking

 7.2. Size:1314K  cn vgsemi
vs4802gkm.pdfpdf_icon

VS4802GMM

VS4802GKM40V/240A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.92 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.35 m Ultra low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 240 A VitoMOS TechnologyTOLL 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses

 7.3. Size:975K  cn vgsemi
vs4802gpht.pdfpdf_icon

VS4802GMM

VS4802GPHT40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 0.7 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 215 A Ultra low on-resistanceI D(Package Limited) 200 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking Pa

Другие MOSFET... VS4620GP , VS4620GS , VS4622DE , VS4640AC , VS4646ACM , VS4698AP , VS4698DP , VS4802GKM , SKD502T , VS4802GPHT , VS4802GPMT , VS6614DS , VS6614DS-K , VSA030C03LD , VSA030C03MD , VSD003N04MS-G , VSD005N03MS .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.