VS6614DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS6614DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: SOP8

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VS6614DS datasheet

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VS6614DS

VS6614DS 65V/10A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 10 A VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS6614DS SOP8 6614DS 3000pcs/reel Maxi

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VS6614DS

VS6614DS-K 65V/8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 8 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested SOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VS6614DS-K SOP8 6614D

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VS6614DS

VS6614GS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 17 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 13 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS661

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