VS6614DS-K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS6614DS-K
Código: 6614DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS6614DS-K
VS6614DS-K Datasheet (PDF)
vs6614ds-k.pdf
VS6614DS-K65V/8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 8 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedSOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS6614DS-K SOP8 6614D
vs6614ds.pdf
VS6614DS65V/10A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 10 A VitoMOS TechnologySOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS6614DS SOP8 6614DS 3000pcs/reelMaxi
vs6614gs.pdf
VS6614GS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 17 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 13 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS661
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