VSD007N04MS-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSD007N04MS-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO252

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VSD007N04MS-G datasheet

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VSD007N04MS-G

VSD007N04MS-G 40V/90A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.3 m Very low on-resistance RDS(on) I D 90 A VitoMOS Technology TO-252 Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche test Part ID Package Type Marking Packing VSD007N04MS-G TO-252 007N04M 2500PCS/Reel Max

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VSD007N04MS-G

VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat

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VSD007N04MS-G

VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor

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VSD007N04MS-G

VSD003N04MS-G 40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested TO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part I

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