ME1302AT3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME1302AT3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.42 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 4.3 nC
Tiempo de subida (tr): 41.9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.132 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME1302AT3
ME1302AT3 Datasheet (PDF)
me1302at3 me1302at3-g.pdf
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ME1302AT3/ME1302AT3-G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1302AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 132 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)= 144 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 185 m @VGS=2.5V minimize on
me1303at3 me1303at3-g.pdf
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ME1303AT3/ME1303AT3-G P-Channel Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1303AT3 is the P-Channel logic enhancement mode power -20V/-3.4A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS -20V/-2.4A,RDS(ON)=120m@VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to -20V/-1.7A,RDS(ON)=180
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Liste
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