ME1303AT3 Todos los transistores

 

ME1303AT3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME1303AT3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME1303AT3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1098K  matsuki electric
 me1303at3 me1303at3-g.pdf pdf_icon

ME1303AT3

ME1303AT3/ME1303AT3-G P-Channel Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1303AT3 is the P-Channel logic enhancement mode power -20V/-3.4A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS -20V/-2.4A,RDS(ON)=120m@VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to -20V/-1.7A,RDS(ON)=180

 9.1. Size:1272K  matsuki electric
 me1302at3 me1302at3-g.pdf pdf_icon

ME1303AT3

ME1302AT3/ME1302AT3-G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1302AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 132 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)= 144 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 185 m @VGS=2.5V minimize on

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVF830D | IRF7103PBF | STK28N3LLH5 | NVMFS020N06C | IPD12CN10NG | NCEAP40T17AD | WSD2012DN25

 

 
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