ME200N04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME200N04T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 231 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 189 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 137 nC
Tiempo de subida (tr): 767 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1242 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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ME200N04T Datasheet (PDF)
me200n04t me200n04t-g.pdf
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ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
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