ME200N04T Todos los transistores

 

ME200N04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME200N04T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 231 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 189 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 137 nC
   Tiempo de subida (tr): 767 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1242 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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ME200N04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  matsuki electric
me200n04t me200n04t-g.pdf

ME200N04T
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ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

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