ME2312 Todos los transistores

 

ME2312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2312
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85.7 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2312

 

ME2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1135K  matsuki electric
me2312 me2312-g.pdf

ME2312
ME2312

ME2312/ME2312-G N-Channel 20-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2312-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)33m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)40m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)51m@VGS=1.8V minimize on-state resist

 9.1. Size:395K  matsuki electric
me2313 me2313-g.pdf

ME2312
ME2312

ME2313/ME2313-GP-Channel 20V(D-S) MOSFET BSS84 GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2313 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)48m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)52m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)65m@VGS=-2.5V minimize on-state r

 9.2. Size:896K  cn vbsemi
me2310.pdf

ME2312
ME2312

ME2310www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


ME2312
  ME2312
  ME2312
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top