ME2312-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME2312-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85.7 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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ME2312-G Datasheet (PDF)
me2312 me2312-g.pdf
ME2312/ME2312-G N-Channel 20-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2312-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)33m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)40m@VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)51m@VGS=1.8V minimize on-state resist
me2313 me2313-g.pdf
ME2313/ME2313-GP-Channel 20V(D-S) MOSFET BSS84 GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2313 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)48m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)52m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)65m@VGS=-2.5V minimize on-state r
me2310.pdf
ME2310www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .