ME2313 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2313

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ME2313 datasheet

 ..1. Size:395K  matsuki electric
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ME2313

ME2313/ME2313-G P-Channel 20V(D-S) MOSFET BSS84 GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2313 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 48m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 52m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 65m @VGS=-2.5V minimize on-state r

 9.1. Size:1135K  matsuki electric
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ME2313

ME2312/ME2312-G N-Channel 20-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2312-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 33m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 40m @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 51m @VGS=1.8V minimize on-state resist

 9.2. Size:896K  cn vbsemi
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ME2313

ME2310 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1

Otros transistores... ME2306N-G, ME2306S, ME2306S-G, ME2308D, ME2308D-G, ME2308DN-G, ME2312, ME2312-G, 2SK3568, ME2313-G, ME2320D2-G, ME2320DS, ME2320DS-G, ME2324D, ME2324D-G, ME2325S, ME2325S-G