ME2345AS Todos los transistores

 

ME2345AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2345AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de ME2345AS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME2345AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf pdf_icon

ME2345AS

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m@VGS=-2.5V minimize on-s

 7.1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf pdf_icon

ME2345AS

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m@VGS=-2.5Vminimize on-state res

Otros transistores... ME2313-G , ME2320D2-G , ME2320DS , ME2320DS-G , ME2324D , ME2324D-G , ME2325S , ME2325S-G , IRFB31N20D , ME2345AS-G , ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 .

History: APT47N65BC3 | CS3205 | SFF80N20PUB

 

 
Back to Top

 


 
.