ME2345AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2345AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ME2345AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2345AS даташит

 ..1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf pdf_icon

ME2345AS

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m @VGS=-2.5V minimize on-s

 7.1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf pdf_icon

ME2345AS

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m @VGS=-2.5V minimize on-state res

Другие IGBT... ME2313-G, ME2320D2-G, ME2320DS, ME2320DS-G, ME2324D, ME2324D-G, ME2325S, ME2325S-G, IRF2807, ME2345AS-G, ME2355AN, ME2355AN-G, ME25N15AL, ME25N15AL-G, ME2606, ME2606-G, ME2614