ME2614 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME2614
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.9 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 19.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.166 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2614

ME2614 Datasheet (PDF)

..1. Size:1152K matsuki electric
me2614 me2614-g.pdf

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)166m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)213m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

9.1. Size:983K matsuki electric
me2612 me2612-g.pdf

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)375m@VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)390m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: