ME2614 Todos los transistores

 

ME2614 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2614
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.166 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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ME2614 datasheet

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ME2614

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 166m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 213m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(... See More ⇒

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ME2614

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 375m @VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 390m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta... See More ⇒

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