ME3205F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME3205F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 263 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 366 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO220F

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ME3205F datasheet

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ME3205F

ME3205F/ME3205F-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6m @VGS=10V The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro

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ME3205F

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia

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ME3205F

ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

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