ME3205F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME3205F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 263 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 366 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME3205F

ME3205F Datasheet (PDF)

..1. Size:1092K matsuki electric
me3205f me3205f-g.pdf

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8.1. Size:1568K matsuki electric
me3205h-g.pdf

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia

8.2. Size:1186K matsuki electric
me3205t me3205t-g.pdf

ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10VThe ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density proce

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Liste

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