ME3205F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME3205F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 74 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 141 nC
   Tiempo de subida (tr): 263 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 366 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME3205F

ME3205F Datasheet (PDF)

..1. Size:1092K matsuki electric
me3205f me3205f-g.pdf

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me3205h-g.pdf

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia

8.2. Size:1186K matsuki electric
me3205t me3205t-g.pdf

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